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IRF7240TR	文件：348.8 Kbytes Page：9 Pages	丝印：IRF7240；Package：SOP-8；P-Channel MOSFET Features Ultra Low On-Resistance Surface Mount Lead-Free VDS (V) = -40V ID = -10.5 A RDS(ON) 16m (VGS = -10V) RDS(ON) 27m (VGS = -4.5V) 文件：348.8 Kbytes 页数：9 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRF7240TR	文件：318.67 Kbytes Page：9 Pages	丝印：IRF7240；Package：SOP-8；P-Channel MOSFET Features VDS (V) = -40V ID = -10.5 A RDS(ON) 文件：318.67 Kbytes 页数：9 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
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IRF7240TR	文件：318.67 Kbytes Page：9 Pages	丝印：IRF7240；Package：SOP-8；P-Channel MOSFET Features VDS (V) = -40V ID = -10.5 A RDS(ON) 文件：318.67 Kbytes 页数：9 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRF7240TRPBF	文件：3.53755 Mbytes Page：5 Pages	丝印：P16TY；Package：SOP-8；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Application ● High power and current handing capability ● Lead free product is acquired ● Surface mount package 文件：3.53755 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
IRF7240	文件：229.41 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications.. The 文件：229.41 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7240	文件：318.67 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel MOSFET Features VDS (V) = -40V ID = -10.5 A RDS(ON) 文件：318.67 Kbytes 页数：9 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRF7240PBF	文件：121.33 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications.. The 文件：121.33 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7240PBF	文件：126.72 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：126.72 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7240PBF	文件：126.72 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：126.72 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRF7240
功能描述：
MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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