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IRF7205PBF	文件：277.82 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fourth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, 文件：277.82 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7205PBF	文件：278.95 Kbytes Page：9 Pages	Adavanced Process Technology Description Fourth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, 文件：278.95 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7205PBF	文件：278.95 Kbytes Page：9 Pages	ULTRA LOW ON RESISTANCE 文件：278.95 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7205PBF_15	文件：278.95 Kbytes Page：9 Pages	ULTRA LOW ON RESISTANCE 文件：278.95 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7205PBF-1	文件：279.5 Kbytes Page：9 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：279.5 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7205PBF-1_15	文件：279.5 Kbytes Page：9 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：279.5 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7205PBF-1	文件：300 bytes Page：1 Pages	-30V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装 \n优势:\n• 工业标准引出线 SO-8 封装\n• 与现有表面封装技术兼容\n• 符合 RoHS ，无卤素\n• 符合MSL1，工业认证;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

VDS max：
-30.0V
RDS (on) max：
70.0mΩ
RDS (on)(@10V) max：
70.0mΩ
RDS (on)(@4.5V) max：
130.0mΩ
Polarity ：
P
ID (@ TA=25°C) max：
-4.6A
ID (@ TA=70°C) max：
-3.7A
Ptot(@ TA=25°C) max：
2.5W
QG ：
27.0nC
Mounting ：
SMD
Moisture Sensitivity Level ：
1
Qgd ：
7.5nC
Tj max：
150.0°C
VGS max：
20.0V
RthJA max：
50.0K/W

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更多IRF7205PBF供应商更新时间2026-4-17 10:20:00

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