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IRF6678TR1

DirectFET Power MOSFET

Description The IRF6678 combines the latest HEXFET® power MOSFET silicon technology with advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometr

文件:256.01 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IRF6678TR1PBF

Ideal for CPU Core DC-DC Converters

文件:259.079 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRF6691

IR
SOP8

IR

国际整流器

上传:深圳市勤思达科技有限公司

IRF6691TR

IR
QFN

IR

国际整流器

上传:深圳市勤思达科技有限公司

IRF6727MTRPBF

INFINEON/英飞凌
SMD

INFINEON/英飞凌

详细参数

  • 型号:

    IRF6678TR1

  • 功能描述:

    MOSFET 30V N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IRF6678TR1供应商 更新时间2025-10-6 16:30:00