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IRF6691	文件：228.85 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode ● Application Specific MOSFETs ● Integrates Monolithic Trench Schottky Diode ● Ideal for CPU Core DC-DC Converters ● Low Conduction Losses ● Low Reverse Recovery Losses ● Low Switching Losses ● Low Reverse Recovery Charge and Low Vf ● Low Profile ( 文件：228.85 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6691	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF6691PBF	文件：642.47 Kbytes Page：10 Pages	DirectFETPower MOSFET Description The IRF6691PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout 文件：642.47 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6691PBF	文件：642.47 Kbytes Page：10 Pages	RoHs Compliant Description The IRF6691PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout 文件：642.47 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6691TR1	文件：228.85 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode ● Application Specific MOSFETs ● Integrates Monolithic Trench Schottky Diode ● Ideal for CPU Core DC-DC Converters ● Low Conduction Losses ● Low Reverse Recovery Losses ● Low Switching Losses ● Low Reverse Recovery Charge and Low Vf ● Low Profile ( 文件：228.85 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6691TR1PBF	文件：642.47 Kbytes Page：10 Pages	RoHs Compliant Description The IRF6691PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout 文件：642.47 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6691TRPBF	文件：642.47 Kbytes Page：10 Pages	RoHs Compliant Description The IRF6691PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout 文件：642.47 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6691TRPBF	文件：642.47 Kbytes Page：10 Pages	DirectFETPower MOSFET Description The IRF6691PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout 文件：642.47 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRF6691
功能描述：
MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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