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IRF6643TR1PBF

DIGITAL AUDIO MOSFET

Features • Latest MOSFET silicon technology • Key parameters optimized for Class-D audio amplifier applications • Low RDS(on) for improved efficiency • Low Qg for better THD and improved efficiency • Low Qrr for better THD and lower EMI • Low package stray inductance for reduced ringing and

文件:444.78 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IRF6646TR1PBF

SOP8

IR

国际整流器

上传:深圳市勤思达科技有限公司

IRF6668TRPBF

DIRECTFET

INFINEON/英飞凌

IRF6668TRPBF

DIRECTFET

IRF6691

SOP8

IR

国际整流器

上传:深圳市勤思达科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    IRF6643TR1PBF

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFT 150V 35A 35mOhm 39nC Qg

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IRF6643TR1PBF供应商 更新时间2025-12-15 20:18:00