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深圳市煦洪科技有限公司

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INFINEON/英飞凌原厂封装

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深圳市川科科技有限公司

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深圳市纳艾斯科技有限公司

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深圳市纳福半导体有限公司

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中天科工半导体（深圳）有限公司

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深圳市盈慧通电子有限公司

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深圳市能元时代电子有限公司

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深圳市胜彬电子有限公司

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深圳市昌和盛利电子有限公司

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IRF7306TR功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:HEXFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR

IRF7306TRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R

IRF7306TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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