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IRF6626	文件：632.98 Kbytes Page：9 Pages	DirectFET TM Power MOSFET Description The IRF6626 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout 文件：632.98 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF6626	文件：641.93 Kbytes Page：10 Pages	RoHS compliant containing no lead or bromide Description The IRF6626 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout 文件：641.93 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
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IRF6626PBF	文件：289.61 Kbytes Page：10 Pages	RoHs Compliant Description The IRF6626PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layo 文件：289.61 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6626TR1	文件：641.93 Kbytes Page：10 Pages	RoHS compliant containing no lead or bromide Description The IRF6626 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout 文件：641.93 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6626TR1PBF	文件：289.61 Kbytes Page：10 Pages	RoHs Compliant Description The IRF6626PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layo 文件：289.61 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRF6626
功能描述：
MOSFET 30V N-CH 4.0 mOhm HEXFET 1.8V nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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