IRF6626中文资料RoHS compliant containing no lead or bromide数据手册Infineon规格书
技术参数
- 型号：
IRF6626
- 功能描述：
MOSFET 30V N-CH 4.0 mOhm HEXFET 1.8V nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
2450+ |
DIRECTFET |
9850 |
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IR |
18+ |
SMD |
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Infineon Technologies |
21+ |
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IR |
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IR |
24+ |
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IR |
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QFN |
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DIRECTFET |
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IR |
24+ |
DirectFETtradeIso |
7500 |
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IR |
24+ |
DIRECTFET |
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新 |
20 |
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