IRF6621中文资料30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 DirectFET SQ 封装,额定电流为55 A。数据手册Infineon规格书
技术参数
- 制造商编号
:IRF6621
- 生产厂家
:Infineon
- Package
:DirectFET SQ
- VDS max
:30.0V
- RDS (on)(@10V) max
:9.1mΩ
- RDS (on) max
:9.1mΩ
- RDS (on)(@4.5V) max
:12.1mΩ
- Polarity
:N
- ID (@ TA=70°C) max
:9.6A
- ID (@ TA=25°C) max
:12.0A
- Ptot(@ TA=25°C) max
:2.2W
- Ptot max
:42.0W
- QG
:11.7nC
- Mounting
:SMD
- RthJC max
:3.0K/W
- Moisture Sensitivity Level
:1
- Qgd
:4.2nC
- Tj max
:150.0°C
- VGS max
:20.0V
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
3913 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
7350 |
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询价 | |||
IR |
2016+ |
QFN |
6532 |
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询价 | ||
IR |
24+ |
QFN |
20000 |
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QFN |
23+ |
NA |
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IR |
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SMD |
4800 |
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IR |
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SMD |
9850 |
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INFINE0N |
21+ |
DirectFET SQ |
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IR |
07+ |
DIRECTFET |
15000 |
询价 | |||
IR |
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QFN |
3000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
询价 |