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IRF6621数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRF6621

功能描述

30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 DirectFET SQ 封装,额定电流为55 A。

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 19:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :IRF6621

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :DirectFET SQ

  • VDS max

    :30.0V

  • RDS (on)(@10V) max

    :9.1mΩ

  • RDS (on) max

    :9.1mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :12.1mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID (@ TA=70°C) max

    :9.6A

  • ID (@ TA=25°C) max

    :12.0A

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :2.2W

  • Ptot max

    :42.0W

  • QG 

    :11.7nC 

  • Mounting 

    :SMD

  • RthJC max

    :3.0K/W

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • Qgd 

    :4.2nC 

  • Tj max

    :150.0°C

  • VGS max

    :20.0V

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