IRF6610中文资料HEXFET Power MOSFET Silicon Technology with the advanced DirectFETTM数据手册Infineon规格书
技术参数
- 型号：
IRF6610
- 功能描述：
MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
5441 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
IR |
2450+ |
DIRECTFET |
6540 |
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品 |
询价 | ||
IR |
21+ |
DIRECTFET |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
Infineon |
24+ |
DIRECTF |
8500 |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
询价 | ||
IR |
24+ |
DirectFETtradeIso |
7500 |
询价 | |||
Infineon |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
IR |
23+ |
DirectFETSQ |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
IR |
23+ |
DirectFETSQ |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
DirectFETSQ |
7000 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
DirectFET? 等容 SQ |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 |
