| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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11年
留言
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IRDIRECTFET |
6540 |
2450+ |
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品 |
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6年
留言
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IRDirectFETSQ |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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3年
留言
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IRDirectFETSQ |
7000 |
23+ |
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5年
留言
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IRDirectFETSQ |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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5年
留言
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IRDirectFETSQ |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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11年
留言
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ir |
500000 |
25+ |
行业低价,代理渠道 |
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7年
留言
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IRDIRECTFETMX |
2191 |
13+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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3年
留言
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InfineonDIRECTF |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保障 |
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11年
留言
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IRNA |
6540 |
2450+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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6年
留言
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IRDIRECTFET |
30000 |
21+ |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
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6年
留言
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IRDIRECTFETMX |
2191 |
23+ |
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10年
留言
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InfineonDIRECTF |
8500 |
24+ |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
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16年
留言
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Infineon原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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17年
留言
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IRDirectFETtradeIso |
7500 |
24+ |
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6年
留言
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VISHAY-威世DIRECTFET |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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18年
留言
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IRDIRECTFETMX |
2201 |
13+ |
全新 发货1-2天 |
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5年
留言
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Infineon TechnologiesDirectFET? Isometric SQ |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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13年
留言
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IRDIRECTF |
8650 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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6年
留言
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IRDIRECTFET |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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3年
留言
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IRDIRECTFET |
7000 |
23+ |
IRF6610采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRF6610图片
IRF6610TR1PBF价格
IRF6610TR1PBF价格:¥8.8253品牌:International
生产厂家品牌为International的IRF6610TR1PBF多少钱,想知道IRF6610TR1PBF价格是多少?参考价:¥8.8253。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRF6610TR1PBF批发价格及采购报价,IRF6610TR1PBF销售排行榜及行情走势,IRF6610TR1PBF报价。
IRF6610TRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF6610功能描述:MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF6610TR1功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH 5.2mOhm DirectFET 2.1Vgs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6610TR1PBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH 5.2mOhm DirectFET 2.1Vgs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6610TRPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms 11nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube





























