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IRF6610 | HEXFET Power MOSFET Silicon Technology with the advanced DirectFETTM Description The IRF6610 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFET packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout 文件：243.15 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | |
IRF6610 | HEXFET Power MOSFET Silicon Technology with the advanced DirectFETTM | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
Ideal for CPU Core DC-DC Converters 文件：247.66 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
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MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET | Infineon 英飞凌 | Infineon |
详细参数
- 型号：
IRF6610
- 功能描述：
MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
22+ |
DirectFETSQ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
IR |
23+ |
DirectFETSQ |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
DirectFETSQ |
7000 |
询价 | |||
IR |
2450+ |
DIRECTFET |
6540 |
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品 |
询价 | ||
IR |
24+ |
DirectFETtradeIso |
7500 |
询价 | |||
IR |
23+ |
DIRECTF |
8650 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
21+ |
DIRECTFET? SQ |
4800 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
IR |
24+ |
65230 |
询价 | ||||
IR |
25+ |
DIRECTFETMX |
2191 |
现货 |
询价 |
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