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IRF6609TR

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天津市博通航睿技术有限公司

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IRF6609TR

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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IRF6609TR

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深圳市胜彬电子有限公司

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IRF6609TR1

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深圳市腾亿芯科技有限公司

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IRF6609TR1PBF

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IRF6609TR1

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深圳市恒创达实业有限公司

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IRF6609TR1PBF

IRDIRECTFET

6200

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深圳市弘为电子有限公司

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IRF6609TR1

IR原厂封装

964

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深圳市斌腾达科技有限公司

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IRF6609TRPBF

Infineon TechnologiesDIRECTFET? MT

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深圳市宸远科技有限公司

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IRDIRECTFET

8000

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深圳市威雅利发展有限公司

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IRF6609TRPBF

IRDIRECTFET

24000

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深圳市凯睿晟科技有限公司

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IRF6609TR1PBF

IRDIRECTFET

30000

21+

百域芯优势 实单必成 可开13点增值税

深圳市天芯威科技有限公司

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IRF6609TRPBF

INFINEON/英飞凌SMD

8000

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新到现货，只做全新原装正品

深圳市一线半导体有限公司

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IRF6609TRPBF

IRDirectFETtradeIso

7500

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IRF6609TRPBF

IRSot-323

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26+

全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔

深圳市川科科技有限公司

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IRF6609TR1PBF

VISHAY-威世DIRECTFET

78800

24+25+/26+27+
1
+：￥10
1000
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

洪芯国际半导体（深圳）有限公司

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IRF6609TRPBF

IRDIRECTFET

86720

26+

全新原装正品价格最实惠 假一赔百

深圳市河锋鑫科技有限公司

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IRF6609TRPBF

Infineon TechnologiesDirectFET? Isometric MT

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上海金庆电子技术有限公司

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IRF6609TRPBF

IRQFN

20

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深圳市安富世纪电子有限公司

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IRF6609TR1功能描述:MOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF6609TR1PBF功能描述:MOSFET 20V N-CH HEXFET 2mOhms 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF6609TRPBF功能描述:MOSFET 20V N-CH HEXFET 2mOhms 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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