选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRDIRECTFET |
4383 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRDIRECTFET |
36000 |
22+ |
代理渠道力挺长期原装现货 可开增票 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRSMD |
4000 |
06+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesDirectFET? Isometric MT |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesDirectFET? Isometric MT |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
留言
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IRSMD |
5000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRSOT223 |
7750 |
23+ |
全新原装优势 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
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IRDirectFETtradeIso |
7500 |
07+/08+ |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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Infineon TechnologiesDIRECTFET? MT |
4800 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRFSMD |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SMD |
68900 |
IRF |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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IRQFN |
3000 |
22+ |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesDirectFET? Isometric MT |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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IRSMD |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
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IRSMD |
32350 |
22+ |
原装正品 假一罚十 公司现货 |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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IRSMD |
4000 |
06+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRSMD |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IR |
55000 |
2019 |
原装进口假一罚十 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
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N/A |
36200 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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IRF6609图片
IRF6609价格
IRF6609价格:¥14.4649品牌:International
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更多IRF6609功能描述:MOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6609TR1功能描述:MOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6609TR1PBF功能描述:MOSFET 20V N-CH HEXFET 2mOhms 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6609TRPBF功能描述:MOSFET 20V N-CH HEXFET 2mOhms 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube