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深圳市斌腾达科技有限公司

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Infineon TechnologiesDIRECTFET? MT

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深圳市安富世纪电子有限公司

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深圳市勤思达科技有限公司

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深圳市亿智腾科技有限公司

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Infineon Technologies原装

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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司

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深圳市安富世纪电子有限公司

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Infineon Technologies原装

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深圳市一线半导体有限公司

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IRDirectFETtradeIso

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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Infineon TechnologiesDirectFET? Isometric MT

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京海半导体(深圳)有限公司

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INFINEONDIRECTFET?

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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终端可免费供样,支持BOM配单

深圳市浩翊科技有限公司

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IRSMD

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深圳市威雅利发展有限公司

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IRF6609

IRSMD

4000

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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

天津市博通航睿技术有限公司

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IRF6609

Infineon Technologies原装

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深圳市澳亿芯电子科技有限公司

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IRSMD

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原装正品 假一罚十 可拆样

深圳市澳亿芯电子科技有限公司

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IRF6609

IRSMD

5000

24+

只有原装

深圳市科雨电子有限公司

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IRF6609

INFINEONDIRECTFET?

3000

25+

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深圳市卓越微芯电子有限公司

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IRF6609TR1PBF

IRFSOP-8

2130

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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

深圳市博中泰实业有限公司

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IRF6609TRPBF

IRDirectFET

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全新原装现货

深圳市弘为电子有限公司

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IRF6609TR1

IR原厂封装

964

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IRF6609TR1PBF功能描述:MOSFET 20V N-CH HEXFET 2mOhms 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF6609TRPBF功能描述:MOSFET 20V N-CH HEXFET 2mOhms 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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