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IRQFN

3000

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一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、

深圳市一线半导体有限公司

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IRDirectFETtradeIso

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深圳市宸远科技有限公司

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深圳市勤思达科技有限公司

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全新原装正品,现货销售

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Infineon TechnologiesDirectFET? Isometric MT

9000

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原厂渠道,现货配单

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IRSMD

3556

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深圳市安富世纪电子有限公司

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Infineon Technologies原装

8000

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天津市博通航睿技术有限公司

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Infineon Technologies原装

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IRSMD

4000

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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

深圳市科雨电子有限公司

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INFINEONDIRECTFET?

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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IRF6609

IRSMD

6000

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终端可免费供样,支持BOM配单

深圳市安富世纪电子有限公司

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IRF6609

IRSMD

4000

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全新原装正品现货,支持订货

深圳市斌腾达科技有限公司

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IRF6609

Infineon TechnologiesDIRECTFET? MT

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京海半导体(深圳)有限公司

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IRF6609

IRFSMD

10000

25+

原装现货假一罚十

深圳市澳亿芯电子科技有限公司

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IRF6609

IRSMD

5000

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只有原装

深圳市科雨电子有限公司

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IRF6609

INFINEONDIRECTFET?

3000

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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司

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IRF6609TR1PBF

IRDIRECTFET

10000

23+

原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种

深圳市能元时代电子有限公司

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IRF6609TRPBF

IRDIRECTFET

12800

23+

##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术

深圳市威尔健半导体有限公司

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IRF6609TRPBF其他被动元件

IRDirectFET

23000

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深圳市腾亿芯科技有限公司

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IRF6609TR1PBF

IRDIRECTFET

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IRF6609功能描述:MOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF6609TR1功能描述:MOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF6609TR1PBF功能描述:MOSFET 20V N-CH HEXFET 2mOhms 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF6609TRPBF功能描述:MOSFET 20V N-CH HEXFET 2mOhms 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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