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IRF6609	文件：264.79 Kbytes Page：11 Pages	Low Conduction Losses Description The IRF6609 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout ge 文件：264.79 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
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IRF6609PBF	文件：271.58 Kbytes Page：11 Pages	DirectFETPower MOSFET Description The IRF6609PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout 文件：271.58 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF6609TR1	文件：264.79 Kbytes Page：11 Pages	Low Conduction Losses Description The IRF6609 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout ge 文件：264.79 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF6609TR1PBF	文件：271.58 Kbytes Page：11 Pages	DirectFETPower MOSFET Description The IRF6609PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout 文件：271.58 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF6609TRPBF	文件：271.58 Kbytes Page：11 Pages	DirectFETPower MOSFET Description The IRF6609PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout 文件：271.58 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF6609PBF_15	文件：271.58 Kbytes Page：11 Pages	Ideal for CPU Core DC-DC Converters 文件：271.58 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRF6609
功能描述：
MOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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