选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRQFN |
7906200 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IORQFN |
579 |
05+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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IRQFN |
20000 |
23+ |
原厂原装正品现货 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesDirectFET? Isometric MX |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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原厂SOT153 |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRQFN |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesDirectFET? Isometric MX |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRQFN |
12000 |
23+ |
全新原装优势 |
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深圳市亿联芯电子科技有限公司13年
留言
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IRQFN |
6893 |
2023+ |
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专注全新正品,优势现货供应 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
579 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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IRQFN |
28950 |
23+24 |
专营原装正品SMD二三极管,电源IC |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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IRQFN |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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IRQFN |
20000 |
19+ |
1000 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IR5650SMD |
7200 |
2008++ |
新进库存/原装 |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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Infineon TechnologiesDIRECTFET? MX |
7000 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRQFN |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRDirectFETMX |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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INFINEON-英飞凌SMD.贴片 |
6328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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QFN |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市诺美思科技有限公司14年
留言
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Infineon TechnologiesDIRECTFET? MX |
7500 |
22+/23+ |
原装进口公司现货假一赔百 |
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IRF6619TR1图片
IRF6619TR1PBF价格
IRF6619TR1PBF价格:¥11.0419品牌:International
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IRF6619TR1中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF6619TR1功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH 1.65mOhm DirectFET 2.0V VGS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6619TR1PBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH 1.65mOhm DirectFET 2.0V VGS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube