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IRF6619TR1	文件：0 bytes Page：0 Pages	IR QFN	IRInternational Rectifier 国际整流器美国国际整流器公司相关企业：深圳市汇莱威科技有限公司
IRF6619TR1	文件：0 bytes Page：0 Pages	INFINEON NA	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司相关企业：深圳市科雨电子有限公司
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详细参数

型号：
IRF6619TR1
功能描述：
MOSFET 20V 1 N-CH 1.65mOhm DirectFET 2.0V VGS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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