选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司4年
留言
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IR |
65230 |
21+ |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesDirectFET? Isometric ST |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesDirectFET? Isometric ST |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRSOT223 |
7750 |
23+ |
全新原装优势 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IR原厂原装 |
1009 |
23+ |
优势库存 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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IRQFN |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IORQFN |
976 |
06+ |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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Infineon TechnologiesDIRECTFET? ST |
1000 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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IRQFN |
10000 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesDirectFET? Isometric ST |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IR |
65230 |
21+ |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRQFN |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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INFINEONDIRECTFET? |
3000 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市大联智电子有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesDirectFET? Isometric ST |
6680 |
2022+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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INFINEONDIRECTFET? |
3000 |
1503+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesDirectFET? Isometric ST |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesDirectFET? Isometric ST |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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IRF6626TR1图片
IRF6626TR1价格
IRF6626TR1价格:¥10.0381品牌:International
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IRF6626TR1PBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF6626TR1功能描述:MOSFET 30V N-CH 4.0 mOhm HEXFET 1.8V nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6626TR1PBF功能描述:MOSFET 30V N-CH 4.0 mOhm HEXFET 1.8V nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube