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Infineon Technologies原装

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Infineon TechnologiesDirectFET? Isometric ST

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Infineon Technologies原装

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IRF6626TRPBF

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IRF6626TRPBFCT

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IRF6626TRPBF

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IRF6626TRPBF

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IRF6626TR1价格：￥10.0381品牌：International

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IRF6626TR1PBF功能描述:MOSFET 30V N-CH 4.0 mOhm HEXFET 1.8V nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF6626TR1功能描述:MOSFET 30V N-CH 4.0 mOhm HEXFET 1.8V nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF6626功能描述:MOSFET 30V N-CH 4.0 mOhm HEXFET 1.8V nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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