选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesDirectFET? Isometric ST |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesDirectFET? Isometric ST |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRSOT223 |
7750 |
23+ |
全新原装优势 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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DirectFET |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRDirectFET |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRDirectFET |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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INFINEONDIRECTFET? |
1675 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesDirectFET? Isometric ST |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
90450 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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IRQFN |
3000 |
22+ |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRDirectFET |
6523 |
1816+ |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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IRFNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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Infineon TechnologiesDIRECTFET? ST |
4800 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRDirectFET |
6528 |
2016+ |
房间原装进口现货假一赔十 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IRDirectFETtradeIso |
7500 |
07+/08+ |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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INFINEON-英飞凌SMD.贴片 |
6328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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上海金庆电子技术有限公司16年
留言
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20 |
新 |
全新原装 货期两周 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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上海鑫科润电子科技有限公司7年
留言
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IORDIRECTFET |
491 |
2006 |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
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IRF6626TR1价格
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IRF6626中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF6626功能描述:MOSFET 30V N-CH 4.0 mOhm HEXFET 1.8V nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6626PBF制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:RoHs Compliant
IRF6626TR1功能描述:MOSFET 30V N-CH 4.0 mOhm HEXFET 1.8V nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6626TR1PBF功能描述:MOSFET 30V N-CH 4.0 mOhm HEXFET 1.8V nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6626TRPBF功能描述:MOSFET 30V N-CH 4.0 mOhm HEXFET 1.8V nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube