| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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12年
留言
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IRDIRBCTFET |
22000 |
26+ |
有挂有货原装正品现货,假一赔十 |
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7年
留言
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DIRBCTFETIR |
2265 |
1903 |
全新原装公司现货 |
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13年
留言
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Infineon/英飞凌MG-WDSON-5 |
25000 |
26+ |
原装正品,假一赔十! |
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4年
留言
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INFINEON/英飞凌DIRBCTFET |
8000 |
24+ |
新到现货,只做全新原装正品 |
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1年
留言
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INFINEONDIRBCTFET |
28000 |
26+ |
公司只有原装,可以配单 |
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5年
留言
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Infineon TechnologiesDirectFET? Isometric MT |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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6年
留言
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Infineon Technologies原装 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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5年
留言
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Infineon(英飞凌)MG-WDSON-5 |
115000 |
2447 |
4800个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
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3年
留言
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IORBGA |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保障 |
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11年
留言
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Infineon/英飞凌MG-WDSON-5 |
10000 |
25+ |
全新原装现货 |
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3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
7000 |
23+ |
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6年
留言
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IR(国际整流器)封装 |
500000 |
25+ |
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源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
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16年
留言
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Infineon(英飞凌)MG-WDSON-5 |
43107 |
26+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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12年
留言
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IRDIRBCTFET |
9000 |
25+ |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
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15年
留言
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IRDIRBCTFET |
5000 |
26+ |
十年沉淀唯有原装 |
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8年
留言
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IRDIRBCTFET |
2265 |
1903 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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6年
留言
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INFINEON-英飞凌SMD.贴片 |
6328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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2年
留言
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IRDIRBCTFET |
8000 |
24+ |
原厂原装,价格优势,欢迎洽谈! |
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1年
留言
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INFINEONDIRBCTFET |
20000 |
26+ |
电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价! |
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9年
留言
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Infineon/英飞凌MG-WDSON-5 |
6000 |
24+ |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
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IRF6726MTRPBF价格
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IRF6726MTRPBF资讯
IRF6726MTRPBF
IRF6726MTRPBF主要参数: MOSFET: N 通道,金属氧化物 FET 功能: 逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss): 30V 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时): 32A(Ta),180A(Tc) 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值): 1.7 毫欧 @ 32A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.35V @ 150µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) :
IRF6726MTRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF6726MTRPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube


























