IRF6726MTRPBF主要参数：
MOSFET： N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)： 30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）： 32A（Ta），180A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）： 1.7 毫欧 @ 32A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）： 2.35V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) ：77nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)： 6140pF @ 15V
功率 - 最大值： 2.8W
封装：DirectFET™ 等容 MT
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