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IRF6618TR1	文件：230.62 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET Description TheIRF6609combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutge	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF6618TR1	文件：234.56 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description TheIRF6618combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutge	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF6618TR1	文件：170.43 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description TheIRF6623combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMICRO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF6618TR1	文件：180.75 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPower MOSFET ●ApplicationSpecificMOSFETs ●IdealforCPUCoreDC-DCConverters ●LowConductionLosses ●LowSwitchingLosses ●LowProfile(	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF6618TR1PBF	文件：250.25 Kbytes Page：9 Pages	Lead-Free (Qualified up to 260째C Reflow) Description TheIRF6618PbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司

详细参数

型号：
IRF6618TR1
功能描述：
MOSFET 30V N-CH 2.2mOhm HEXFET 43 nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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