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IRF6618TRPBF	文件：240.91 Kbytes Page：8 Pages	DirectFET짰Power MOSFET 짰 Description TheIRF6618PbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRF International Rectifier	IRF
IRF6618TRPBF	文件：250.25 Kbytes Page：9 Pages	Ideal for CPU Core DC-DC Converters	IRF International Rectifier	IRF
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LMH6618MKX	文件：1.1904 Mbytes Page：28 Pages	PowerWise짰130MHz,1.25mARRIOOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
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详细参数

型号：
IRF6618TRPBF
功能描述：
MOSFET 30V N-CH 2.2mOhm HEXFET 43 nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRF6618TRPBF供应商更新时间2024-10-24 10:20:00

详细参数

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