选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司6年
留言
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IRSMD |
4000 |
24+ |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
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2000 |
07+ |
DirectFET MT |
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深圳市安博威科技有限公司4年
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INFINEON/IRDirectFET MT |
2000 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司6年
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IRDIRCTFET |
4000 |
24+ |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市金华微盛电子有限公司6年
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IRQFN |
60000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRQFN |
15800 |
2013+ |
授权分销IR系列场效应管,大量现货供应IRF6617TRPBF,正品原装,品质保证。 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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INFINEON/IRDirectFET MT |
2000 |
07+ |
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深圳市纳艾斯科技有限公司10年
留言
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INFINEON/英飞凌NA |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRPLL |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市威雅利发展有限公司6年
留言
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IRSMD |
5000 |
06+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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IRPLL |
20000 |
23+ |
原厂原装正品现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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IRNA/ |
4000 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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IRSMD |
30000 |
23 |
原装现货 假一赔十. |
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深圳市芯福林电子科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesDirectFET? Isometric MT |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌QFN |
11000 |
23+ |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市益百分电子有限公司12年
留言
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IOR晶震 |
2145 |
04+ |
全新原装进口自己库存优势 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司11年
留言
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IRSMD |
6528 |
1802+ |
只做原装正品现货,或订货假一赔十! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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INFINEON/英飞凌QFN |
5590 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市胜彬电子有限公司12年
留言
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IRQFN |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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深圳诚思涵科技有限公司10年
留言
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IRPLL |
20000 |
19+ |
1450 |
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IRF6618TR1价格:¥6.5000品牌:IR
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IRF6618TR1中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF6618TR1功能描述:MOSFET 30V N-CH 2.2mOhm HEXFET 43 nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6618TR1PBF功能描述:MOSFET 30V N-CH 2.2mOhm HEXFET 43 nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube