| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRSMD |
12000 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)DirectFET |
11177 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesDirectFET? Isometric MX |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesDirectFET? Isometric MX |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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infineonTO-252 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesDirectFET? Isometric MX |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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INFINEONDIRECTFET? |
3000 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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INFINE0NDirectFET MX |
32568 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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InternationRectiferNA |
30000 |
22+ |
100%全新原装 假一赔十 |
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深圳市富安睿科技有限公司6年
留言
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英飞凌DirectFET MX (MG-WDSON-5) |
6000 |
21+ |
绝对原裝现货 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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IRFNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市大联智电子有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesDirectFET? Isometric MX |
6680 |
2022+ |
原厂原装，欢迎咨询 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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INFINEONDIRECTFET? |
3000 |
1503+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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Infineon TechnologiesDIRECTFET? MX |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IORSOP |
986 |
07+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市九方航科技有限公司2年
留言
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Infineon/英飞凌DIRECTFET |
7188 |
23+ |
秉承只做原装 终端我们可以提供技术支持 |
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IRF6616图片
IRF6616价格
IRF6616价格：￥6.5632品牌：International Rectifier
生产厂家品牌为International Rectifier的IRF6616多少钱，想知道IRF6616价格是多少？参考价：￥6.5632。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF6616批发价格及采购报价，IRF6616销售排行榜及行情走势，IRF6616报价。
IRF6616TRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF6616功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH 3.7mOhm DirectFET 1.8V Vgs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6616TR1功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH 3.7mOhm DirectFET 1.8V Vgs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6616TR1PBF功能描述:MOSFET MOSFT 40V 106A 5.0mOhm 29nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6616TRPBF功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH 3.7mOhm DirectFET 1.8V Vgs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
