IRF6609中文资料Low Conduction Losses数据手册Infineon规格书
技术参数
- 型号：
IRF6609
- 功能描述：
MOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
26250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
IR |
06+ |
SMD |
4000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
DIRECTFET? MT |
4800 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
SMD |
8000 |
新到现货，只做全新原装正品 |
询价 | ||
IR |
23+ |
QFN |
3000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
询价 | ||
IR |
23+ |
DirectFET |
3390 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
IR |
21+ |
DIRECTFET |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
IR |
24+ |
65230 |
询价 | ||||
IR |
22+ |
QFN |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
IR |
24+ |
DirectFETtradeIso |
7500 |
询价 |
