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IRF6610TR1中文资料MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRF6610TR1

功能描述

MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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技术参数

  • 型号:

    IRF6610TR1

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 1 N-CH 5.2mOhm DirectFET 2.1Vgs

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
NA/
4250
原装现货,当天可交货,原型号开票
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IR
21+
DIRECTFET
30000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
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24+
DirectFETtradeIso
7500
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Infineon Technologies
23+
DirectFET? Isometric SQ
9000
原装正品,支持实单
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Infineon Technologies
2022+
DirectFET? 等容 SQ
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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23+
DIRECTFET SQ
8000
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23+
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7000
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INFINEON/英飞凌
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60000
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