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IRF6621	文件：254.49 Kbytes Page：9 Pages	The IRF6621 combines the latest HEXFET Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFET packaging to achieve the lowest on-state resistance Description The IRF6621 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout 文件：254.49 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF6621	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 DirectFET SQ 封装，额定电流为55 A。	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF6621PbF	文件：266.13 Kbytes Page：10 Pages	DirectFETPower MOSFET Description The IRF6621PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layo 文件：266.13 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6621TR1	文件：254.49 Kbytes Page：9 Pages	The IRF6621 combines the latest HEXFET Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFET packaging to achieve the lowest on-state resistance Description The IRF6621 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout 文件：254.49 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF6621TR1PBF	文件：266.13 Kbytes Page：10 Pages	DirectFETPower MOSFET Description The IRF6621PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layo 文件：266.13 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6621TRPbF	文件：266.13 Kbytes Page：10 Pages	DirectFETPower MOSFET Description The IRF6621PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layo 文件：266.13 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6621PBF	文件：266.13 Kbytes Page：10 Pages	Ideal for CPU Core DC-DC Converters 文件：266.13 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6621PBF_15	文件：266.13 Kbytes Page：10 Pages	Ideal for CPU Core DC-DC Converters 文件：266.13 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6621TRPBF	文件：266.13 Kbytes Page：10 Pages	Ideal for CPU Core DC-DC Converters 文件：266.13 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

技术参数

Package ：
DirectFET SQ
VDS max：
30.0V
RDS (on)(@10V) max：
9.1mΩ
RDS (on) max：
9.1mΩ
RDS (on)(@4.5V) max：
12.1mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TA=70°C) max：
9.6A
ID (@ TA=25°C) max：
12.0A
Ptot(@ TA=25°C) max：
2.2W
Ptot max：
42.0W
QG ：
11.7nC
Mounting ：
SMD
RthJC max：
3.0K/W
Moisture Sensitivity Level ：
1
Qgd ：
4.2nC
Tj max：
150.0°C
VGS max：
20.0V

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