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IRF6621	文件：254.49 Kbytes Page：9 Pages	The IRF6621 combines the latest HEXFET Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFET packaging to achieve the lowest on-state resistance Description TheIRF6621combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMICRO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRF International Rectifier	IRF
IRF6621PbF	文件：266.13 Kbytes Page：10 Pages	DirectFETPower MOSFET Description TheIRF6621PbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMICRO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayo	IRF International Rectifier	IRF
IRF6621TR1PBF	文件：266.13 Kbytes Page：10 Pages	DirectFETPower MOSFET Description TheIRF6621PbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMICRO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayo	IRF International Rectifier	IRF
IRF6621TRPbF	文件：266.13 Kbytes Page：10 Pages	DirectFETPower MOSFET Description TheIRF6621PbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMICRO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayo	IRF International Rectifier	IRF
IRF6621PBF	文件：266.13 Kbytes Page：10 Pages	Ideal for CPU Core DC-DC Converters	IRF International Rectifier	IRF
IRF6621PBF_15	文件：266.13 Kbytes Page：10 Pages	Ideal for CPU Core DC-DC Converters	IRF International Rectifier	IRF
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MAX6621	文件：168.55 Kbytes Page：18 Pages	PECI-to-I2CTranslator	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX6621AUB+	文件：171.37 Kbytes Page：18 Pages	PECI-to-I2CTranslator	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim

详细参数

型号：
IRF6621
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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