| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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8年
留言
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IRQFN |
20000 |
24+ |
原厂原装正品现货 |
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3年
留言
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IRDIRECTFET |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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15年
留言
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IRSMD |
22621 |
25+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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18年
留言
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IRDirectFET |
666 |
05+ |
全新 发货1-2天 |
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5年
留言
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IORDirectFET |
10000 |
25+ |
原装现货假一罚十 |
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6年
留言
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IRDirectFET |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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3年
留言
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IRDirectFET |
7000 |
23+ |
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6年
留言
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IRDirectFET |
14400 |
23+ |
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13年
留言
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IRSMD |
8650 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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7年
留言
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IRSMD |
4800 |
0712+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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12年
留言
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IRSMD |
9850 |
2450+ |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
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5年
留言
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IRDirectFET |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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3年
留言
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INFINEON/英飞凌SMD |
90000 |
25+ |
全新原装现货 |
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9年
留言
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INFINE0NDirectFET SQ |
32568 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
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6年
留言
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IRSMD |
4800 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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6年
留言
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IRDirectFET |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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6年
留言
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IRNA |
880000 |
25+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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10年
留言
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QFNNA |
15659 |
23+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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6年
留言
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IRDIRECTFET |
30000 |
21+ |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
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11年
留言
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IRSMD |
53650 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
IRF6621采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRF6621图片
IRF6621TR1价格
IRF6621TR1价格:¥8.3558品牌:International Rectifier
生产厂家品牌为International Rectifier的IRF6621TR1多少钱,想知道IRF6621TR1价格是多少?参考价:¥8.3558。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRF6621TR1批发价格及采购报价,IRF6621TR1销售排行榜及行情走势,IRF6621TR1报价。
IRF6621TR中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF6621功能描述:MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF6621TR1功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SQ RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6621TR1PBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SQ RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6621TRPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SQ RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube































