IRF6621中文资料IRF数据手册PDF规格书
| 厂商型号 |
IRF6621 |
| 功能描述 | The IRF6621 combines the latest HEXFET Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFET packaging to achieve the lowest on-state resistance |
| 文件大小 |
254.49 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | International Rectifier |
| 企业简称 |
IRF |
| 中文名称 | International Rectifier官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-7-4 23:00:00 |
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IRF6621规格书详情
Description
The IRF6621 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapor phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes. The DirectFET package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in power systems, improving previous best thermal resistance by 80.
• RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide
• Low Profile (<0.7 mm)
• Dual Sided Cooling Compatible
• Ultra Low Package Inductance
• Optimized for High Frequency Switching
• Ideal for CPU Core DC-DC Converters
• Optimized for both Sync.FET and some Control FET application
• Low Conduction and Switching Losses
• Compatible with existing Surface Mount Techniques
产品属性
- 型号：
IRF6621
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
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