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IRF6607TR1 | Power MOSFET Description The IRF6607 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout ge 文件：201.63 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | |
IRF6607TR1 | Power MOSFET | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
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IR | IR |
详细参数
- 型号：
IRF6607TR1
- 功能描述：
MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
19+ |
QFN |
27000 |
询价 | |||
IR |
24+ |
QFN |
7900 |
新进库存/原装 |
询价 | ||
IR |
24+ |
原厂封装 |
975 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
IOR |
23+ |
QFN |
8650 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
IR |
25+23+ |
QFN |
18980 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
DIRECTFET? MT |
1000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
IR |
24+ |
65230 |
询价 | ||||
INFINEON |
25+ |
DIRECTFET? |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
IR |
1923+ |
NA |
35689 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 |
更多IRF6607TR1供应商
更新时间2025-10-4 16:03:00
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- VE-48HS5-K
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- KPSE00J14-12S
- SMLK34WBEBW1
- MIC94072YMTTR
- ISL88001IH44Z-T7A
- STM32F101RBH6
- STM32F372VBH6
- ST72F321BR9T6
- SN74LV04APWRG4
- SN74AC11N
- SN74ALVC00NSR
- LTC3854IDDB#TRMPBF
- MB3A0M4
- MB3A10A2H4
- RN1415(TE85L,F)
- ZX5T853GTA-CUTTAPE
- ZXFV4583EV
- IXFR24N80P
- LML6-TER-CAB
- SUW1R52412C
- TB3000BLACK
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- OJ-SS-124LMH2
- T9CP1A54-24
- MY2N-D2DC48(S)
- UM52020LSET
- TLP227G(F)
- KPSE07A14-5P
- VG95234G-24-11PN
- MS27468T25F61JB
- PV76L14-15SZ
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