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IRF5210	文件：125.28 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRF5210	文件：738.7 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF5210	文件：334.13 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF5210L	文件：186.9 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF5210LPBF	文件：696.34 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Featuresofthisdesignarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombinetomakethisdesignanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofotherapplications. ●AdvancedProces	IRF International Rectifier	IRF
IRF5210PBF.	文件：125.28 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRF5210S	文件：998.16 Kbytes Page：4 Pages	P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs 100EASGuaranteed GreenDeviceAvailable SuperLowGateCharge ExcellentCdV/dteffectdecline AdvancedhighcelldensityTrenchtechnology	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRF5210S	文件：186.9 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF5210SPBF	文件：696.34 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Featuresofthisdesignarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombinetomakethisdesignanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofotherapplications. ●AdvancedProces	IRF International Rectifier	IRF
IRF5210STRLPBF	文件：2.64001 Mbytes Page：4 Pages	Marking：F5210S；Package：TO-263；P-Channel Power MOSFET Application +DC/DCConverter Portableequipmentandbattery «PowerSwitch	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC

详细参数

型号：
IRF5210
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
功能描述：
MOSFET P TO-220

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