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IRF530S	文件：177.08 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •SurfaceMount •Availablein	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRF530S	文件：180.1 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.16ohm, Id=14A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF530S	文件：218.01 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •Dynamicdv/dtrating •Repetitiveavalancherated •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatas	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRF530S	文件：171.61 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF530S	文件：916.94 Kbytes Page：8 Pages	Halogen-free According to IEC 61249-2-21	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
IRF530S	文件：1.00811 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
IRF530S_V01	文件：218.01 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •Dynamicdv/dtrating •Repetitiveavalancherated •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatas	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRF530SPBF	文件：177.08 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •SurfaceMount •Availablein	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRF530STRLPBF	文件：177.08 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •SurfaceMount •Availablein	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRF530STRRPBF	文件：177.08 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •SurfaceMount •Availablein	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRF530SPBF	文件：218.01 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRF530SPBF	文件：1.83154 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF530STRLPBFA	文件：218.01 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRF530STRRPBFA	文件：218.01 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
530	文件：1.6009 Mbytes Page：96 Pages	Pentium4ProcessorsSupportingHyper-ThreadingTechnology Introduction TheIntel®Pentium®4processoron90nmprocessinthe775-landpackageisafollowontothePentium4processorinthe478-pinpackagewithenhancementstotheIntelNetBurst®microarchitecture.ThePentium4processoron90nmprocessinthe775-landpackageusesFlipChipLandGr	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司）
530	文件：481.68 Kbytes Page：27 Pages	Intel짰Solid-StateDrive530Series(2.5-inch)	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司）
530BUE	文件：155.61 Kbytes Page：2 Pages	Security&Sound,#18-20c,BC,CMR ProductDescription Security&SoundCable,Riser-CMR,20-18AWGstrandedbarecopperconductorswithPVCinsulation,PVCjacketwithripcord	BELDEN Belden Inc.
530JPKC	文件：113.24 Kbytes Page：3 Pages	LED	HBHB Electronic Components HB Electronic Components
530PWC	文件：1.7202 Mbytes Page：11 Pages	Singlecolor	HBHB Electronic Components HB Electronic Components
ACTF530	文件：74.99 Kbytes Page：3 Pages	low-loss,compact,andeconomicalsurface-acoustic-wave(SAW)filter	ACTAdvanced Crystal Technology 先进的晶体先进的晶体技术

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详细参数

型号：
IRF530S
功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 14 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRF530S供应商更新时间2024-4-28 15:30:00

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