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IRF630NPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well know 文件：340.74 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
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