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IRF640NPBF	文件：300.8 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRF640NPBF	文件：8.24278 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating 175 Operating Temperature Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF640NPBF	文件：341.59 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF640NPBF	文件：341.59 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF640NPBF_15	文件：341.59 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF640NS	文件：160.31 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs200V,18A,0.15ohm Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.102Ω(Typ),VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER© ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRateingCurve	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF640NS	文件：240.04 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF640NS	文件：155.4 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.15ohm,Id=18A) Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRF640NS	文件：248.99 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF640NS	文件：1.19709 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlevelstoapproximately50watts.ThelowthermalresistanceandlowpackagecostoftheTO-220contributetoitswideacceptancethroughouttheindustry. TheD2Pakisasurfac	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

详细参数

型号：
IRF640NPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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