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IRF640NPBF

HEXFET짰 Power MOSFET

Description Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well know

文件:300.8 Kbytes 页数:12 Pages

IRF

IRF640NPBF

Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating 175 Operating Temperature

Description Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well know

文件:8.24278 Mbytes 页数:11 Pages

KERSEMI

IRF640NPBF

Advanced Process Technology

文件:341.59 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRF640NPBF

Advanced Process Technology

文件:341.59 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRF640NPBF_15

Advanced Process Technology

文件:341.59 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRF640NPBF

场效应管

HXY MOSFET

华轩阳电子

技术参数

  • ID/A:

    18

  • VDS/V:

    200

  • RDS(on)/mΩ:

    120

  • VGS/V:

    20

  • VGS(th)/V:

    2-4

  • N/P:

    N

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON
25+
TO-220
19800
工作温度范围:-55°C~175°C(TJ)。 产品特点:具有低导通电阻、高开关速度和高耐压等优点,可实现高效的能量转换和传输,能在高频和高压条件下稳定工作。还具备动态 dv/dt 额定值,完全雪崩额定,易于并联,驱动要求简单等特性。 应用领域:适用于电源开关、电机驱动、照明电路、逆变器、变换器、电源管理等领域。在电动汽车动力系统中,可用作驱动电机的开关元件;也可用于光伏逆变器、UPS(不间断电源)等为电流转换提供可靠的开关能力
询价
INFINEON
22+
150000
原装正品
询价
IR
25+
TO-220
9600
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
询价
IR
2020+
TO-220
22000
全新原装正品 现货库存 价格优势
询价
INFINEON
21+
SMD
16230
十年信誉,只做原装,有挂就有现货!
询价
INFINEON/英飞凌
21+
TO-220
20000
原装现货假一罚十
询价
IR
1616+
TO-220
10
只做原装,可开13个点税票
询价
INFINEON/IR
1907+
NA
4750
20年老字号,原装优势长期供货
询价
INFINEON
23+
TO-220
10000
全新、原装
询价
INFINEON
22+
sot
6600
正品渠道现货,终端可提供BOM表配单。
询价
更多IRF640NPBF供应商 更新时间2025-10-11 16:36:00