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IRF640STRLPBF	文件：2.11507 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combinations of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2PAK is a surface mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It provides the 文件：2.11507 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
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详细参数

型号：
IRF640STRLPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRF640STRLPBF供应商更新时间2025-10-12 16:12:00

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