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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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IRF6611TR1 | RoHS compliant containing no lead or bromide Description The IRF6611 combines the latest HEXFET® power MOSFET silicon technology with advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geomet 文件：260.079 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | |
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详细参数
- 型号：
IRF6611TR1
- 功能描述：
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
DirectFETtradeIso |
7500 |
询价 | |||
IR |
2022+ |
1350 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
21+ |
DIRECTFET? MX |
1000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
IR |
24+ |
65230 |
询价 | ||||
IR |
23+ |
QFN |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
INFINEON |
25+ |
DIRECTFET? |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
IR |
23+ |
QFN |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IR |
21+ |
QFN |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
DirectFET? Isometric MX |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
更多IRF6611TR1供应商
更新时间2025-10-4 16:30:00
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- VE-48HS5-K
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- KPSE00J14-12S
- SMLK34WBEBW1
- MIC94072YMTTR
- ISL88001IH44Z-T7A
- STM32F101RBH6
- STM32F372VBH6
- ST72F321BR9T6
- SN74LV04APWRG4
- SN74AC11N
- SN74ALVC00NSR
- LTC3854IDDB#TRMPBF
- MB3A0M4
- MB3A10A2H4
- RN1415(TE85L,F)
- ZX5T853GTA-CUTTAPE
- ZXFV4583EV
- IXFR24N80P
- LML6-TER-CAB
- SUW1R52412C
- TB3000BLACK
- TO-40-150
- OJ-SS-124LMH2
- T9CP1A54-24
- MY2N-D2DC48(S)
- UM52020LSET
- TLP227G(F)
- KPSE07A14-5P
- VG95234G-24-11PN
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