| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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3年
留言
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IRTO-263 |
45 |
12+ |
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13年
留言
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IRTO-220 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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8年
留言
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IRTO-263 |
2500 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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16年
留言
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VISHAYTO-220AB |
65400 |
23+ |
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4年
留言
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VISHAY/威世TO-220AB |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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15年
留言
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VISHAYTO-220AB |
9450 |
2021+ |
原装现货。 |
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12年
留言
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VISHAY/威世TO-220AB |
12000 |
2021+ |
勤思达 只做原装 现货库存 |
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FSCTO220 |
6800 |
24+ |
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13年
留言
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IRTO-263 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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12年
留言
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IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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15年
留言
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IRTO-220 |
15000 |
24+ |
全新原装的现货 |
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10年
留言
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STTO-220 |
12700 |
25+ |
买原装认准中赛美 |
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2年
留言
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INFINEON/英飞凌 |
26800 |
25+ |
保证全新原装正品 |
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15年
留言
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IRTO220 |
100 |
26+ |
大批量供应优势库存热卖 |
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9年
留言
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STTO-220 |
20000 |
25+ |
原装，请咨询 |
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13年
留言
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IRTO220 |
1709 |
21+ |
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11年
留言
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IRTO220 |
500000 |
25+ |
行业低价,代理渠道 |
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7年
留言
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TITO-220AB |
20948 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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13年
留言
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IR |
37279 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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13年
留言
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IRTO220 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
IRF644采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF644图片
IRF644PBF价格
IRF644PBF价格：￥2.1874品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的IRF644PBF多少钱，想知道IRF644PBF价格是多少？参考价：￥2.1874。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF644PBF批发价格及采购报价，IRF644PBF销售排行榜及行情走势，IRF644PBF报价。
IRF644中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF644功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF644B_FP001功能描述:MOSFET 250V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF644FP功能描述:MOSFET N-Ch 250 Volt 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF644L功能描述:MOSFET N-CH 250V 14A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF644LPBF功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF644N功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF644NL功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF644NLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF644NPBF功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF644NS功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
