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IRF540ZSPBF

AUTOMOTIVE MOSFET

VDSS = 100V RDS(on) = 26.5mΩ ID = 36A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating te

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IRF

IRF540ZSPBF

Advanced Process Technology

文件:384.04 Kbytes 页数:12 Pages

IRF

IRF540ZSPBF

Advanced Process Technology

文件:384.04 Kbytes 页数:12 Pages

IRF

IRF540ZSTRL

Advanced Process Technology

文件:308.2 Kbytes 页数:13 Pages

IRF

IRF540ZSTRLPBF

Advanced Process Technology

文件:384.04 Kbytes 页数:12 Pages

IRF

IRFI540A

Advanced Power MOSFET

文件:232.82 Kbytes 页数:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

详细参数

  • 型号:

    IRF540ZSPBF

  • 功能描述:

    MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26.5mOhms 42nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IRF540ZSPBF供应商 更新时间2026-4-17 13:30:00