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IRF5852TR	文件：132.21 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance Description These N-channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications. This Dua 文件：132.21 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF5852TRPBF	文件：130.009 Kbytes Page：10 Pages	Ultra Low On-Resistance Description These N-channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications. This Dua 文件：130.009 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
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ISO5852S	文件：1.4767 Mbytes Page：37 Pages	High-CMTI 2.5-A / 5-A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver with Split Outputs and Active Safety Features 文件：1.4767 Mbytes 页数：37 Pages	TI 德州仪器	TI
ISO5852S	文件：1.6761 Mbytes Page：43 Pages	High-CMTI 2.5-A and 5-A Reinforced Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver With Split Outputs and Active Protection Features 文件：1.6761 Mbytes 页数：43 Pages	TI 德州仪器	TI

详细参数

型号：
IRF5852TR
功能描述：
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
HEXFET®
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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