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IRF640SPBF	文件：2.11507 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationsoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAKisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovidesthe	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRF640SPBF	文件：237.05 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
640	文件：113.57 Kbytes Page：1 Pages	MINIATUREFUSEHOLDERS	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
640	文件：141.46 Kbytes Page：3 Pages	QuartzStability	OSCILENT Oscilent Corporation
640	文件：567.23 Kbytes Page：6 Pages	3M??Scotch짰TransparentFilmTape640	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司
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AD640	文件：278 Kbytes Page：16 Pages	DC-CoupledDemodulating120MHzLogarithmicAmplifier PRODUCTDESCRIPTION TheAD640isacompletemonolithiclogarithmicamplifier.AsingleAD640providesupto50dBofdynamicrangeforfrequenciesfromdcto120MHz.TwoAD640sincascadecanprovideupto95dBofdynamicrangeatreducedbandwidth.TheAD640usesasuccessivedetectionscheme	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
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AD640BE	文件：417.1 Kbytes Page：19 Pages	DC-CoupledDemodulating120MHzLogarithmicAmplifier	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
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AD640BPZ	文件：417.1 Kbytes Page：19 Pages	DC-CoupledDemodulating120MHzLogarithmicAmplifier	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
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详细参数

型号：
IRF640SPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRF640SPBF供应商更新时间2024-4-23 20:19:00

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