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IRF630SPBF

Power MOSFET

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRF630SPBF

HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40廓 , ID = 9.0A )

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IRF

IRF630SPBF

HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40Ω , ID = 9.0A )

Infineon

英飞凌

IRF630STRLPBF

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2PAK is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRF630STRLPBFA

Power MOSFET

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IRF630STRR

Power MOSFET

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VISHAYVishay Siliconix

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详细参数

  • 型号:

    IRF630SPBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR/VISH
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Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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更多IRF630SPBF供应商 更新时间2026-4-17 14:44:00