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IRF630STRR	文件：175.32 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：175.32 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF630STRRPBFA	文件：218.73 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：218.73 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFI630	文件：648.95 Kbytes Page：9 Pages	200V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. Features • 9.0A, 200V, RDS(on) = 0.4Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 22 nC) • Low Crss ( typical 22 pF) • Fast switching • 100 av 文件：648.95 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFI630	文件：176.76 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=5.9A) 200V N-Channel MOSFET 文件：176.76 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRFI630B	文件：648.95 Kbytes Page：9 Pages	200V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. Features • 9.0A, 200V, RDS(on) = 0.4Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 22 nC) • Low Crss ( typical 22 pF) • Fast switching • 100 av 文件：648.95 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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