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IRF630NSTRLPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
630	文件：141.01 Kbytes Page：2 Pages	LowFrequencies	OSCILENT Oscilent Corporation
630	文件：87.55 Kbytes Page：1 Pages	COMPACTDIGITALTHERMOMETERS&THERMO-HYGROMETERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
630	文件：1.35377 Mbytes Page：11 Pages	9A200VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 1Description TheseN-channelEnhancedVDMOSFETs,isobtainedby theself-alignedplanartechnologywhichreducethe conductionloss,improveswitchingperformanceand enhancetheavalancheenergy.Whichaccordswiththe RoHSstandard. 2Features ●FastSwitching ●LowONResistance(Rdso	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
630A	文件：1.95151 Mbytes Page：6 Pages	Fastswitching Features ·Fastswitching ·100avalanchetested ·Improveddv/dtcapability Application ·DCMotorControlandClassDAmplifier ·UninterruptiblePowerSupply(UPS) ·Automotive	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
630B	文件：155.55 Kbytes Page：1 Pages	PULSETRANSFORMERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
630C	文件：155.55 Kbytes Page：1 Pages	PULSETRANSFORMERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
630C-SERIES	文件：1.07701 Mbytes Page：12 Pages	630CSeriesRightAngleComboD-SubConnectors\|Receptacle Features Signal,alongwithpowerorcoaxialcontactswithinoneconnector SpacesavingonthePCBandI/Odesigns Availableinvariouspinoutconfigurations PinandsocketcontactmatingdesignwithP.C.tailtermination MetalshellprovidesEMI/RFIshielding,plugshellindentsprovidegro	EDACEDAC, All Rights Reserved. 亚得电子亚得电子（东莞）有限公司
630D	文件：87.45 Kbytes Page：1 Pages	AluminumCapacitorsElectrolytics	VishayVishay Siliconix 威世科技
630D	文件：129.68 Kbytes Page：3 Pages	AluminumCapacitors125°C,Miniature,AxialLead	VishayVishay Siliconix 威世科技
630D	文件：155.55 Kbytes Page：1 Pages	PULSETRANSFORMERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
630D	文件：67.39 Kbytes Page：3 Pages	AluminumCapacitors125°C,Miniature,AxialLead	VishayVishay Siliconix 威世科技
630F	文件：119.98 Kbytes Page：1 Pages	TwoTerminalMetalElementCurrentSense	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY
630FE	文件：119.98 Kbytes Page：1 Pages	TwoTerminalMetalElementCurrentSense	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY
630FMM	文件：54.86 Kbytes Page：2 Pages	BritishStyleBS88	COOPER 科普斯株洲市科普斯科技有限公司
630FMM	文件：54.86 Kbytes Page：2 Pages	BritishStyleBS88690V6-700A	COOPER 科普斯株洲市科普斯科技有限公司
630FMM	文件：53.58 Kbytes Page：2 Pages	BritishStyleBS88	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
630H	文件：119.98 Kbytes Page：1 Pages	TwoTerminalMetalElementCurrentSense	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY
630HE	文件：119.98 Kbytes Page：1 Pages	TwoTerminalMetalElementCurrentSense	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY
630J	文件：119.98 Kbytes Page：1 Pages	TwoTerminalMetalElementCurrentSense	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY

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详细参数

型号：
IRF630NSTRLPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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