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IRF630PBF	文件：579.72 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRF630PBF	文件：5.97495 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
IRF630PBF	文件：1.53489 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES •175°CJunctionTemperature •PWMOptimized •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch •DT-TrenchPowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
IRF630PBF	文件：1.03175 Mbytes Page：6 Pages	9A,200V Heatsink N-Channel Type Power MOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司
IRF630PBF	文件：2.10068 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40廓 , ID = 9.0A )	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
630	文件：141.01 Kbytes Page：2 Pages	LowFrequencies	OSCILENT Oscilent Corporation
630	文件：87.55 Kbytes Page：1 Pages	COMPACTDIGITALTHERMOMETERS&THERMO-HYGROMETERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
630A	文件：1.95151 Mbytes Page：6 Pages	Fastswitching Features ·Fastswitching ·100avalanchetested ·Improveddv/dtcapability Application ·DCMotorControlandClassDAmplifier ·UninterruptiblePowerSupply(UPS) ·Automotive	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
630B	文件：155.55 Kbytes Page：1 Pages	PULSETRANSFORMERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
630C	文件：155.55 Kbytes Page：1 Pages	PULSETRANSFORMERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
630C-SERIES	文件：1.07701 Mbytes Page：12 Pages	630CSeriesRightAngleComboD-SubConnectors\|Receptacle Features Signal,alongwithpowerorcoaxialcontactswithinoneconnector SpacesavingonthePCBandI/Odesigns Availableinvariouspinoutconfigurations PinandsocketcontactmatingdesignwithP.C.tailtermination MetalshellprovidesEMI/RFIshielding,plugshellindentsprovidegro	EDACEDAC, All Rights Reserved. 亚得电子亚得电子（东莞）有限公司
630D	文件：87.45 Kbytes Page：1 Pages	AluminumCapacitorsElectrolytics	VishayVishay Siliconix 威世科技
630D	文件：129.68 Kbytes Page：3 Pages	AluminumCapacitors125°C,Miniature,AxialLead	VishayVishay Siliconix 威世科技
630D	文件：155.55 Kbytes Page：1 Pages	PULSETRANSFORMERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
630D	文件：67.39 Kbytes Page：3 Pages	AluminumCapacitors125°C,Miniature,AxialLead	VishayVishay Siliconix 威世科技
630F	文件：119.98 Kbytes Page：1 Pages	TwoTerminalMetalElementCurrentSense	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY
630FE	文件：119.98 Kbytes Page：1 Pages	TwoTerminalMetalElementCurrentSense	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY
630FMM	文件：54.86 Kbytes Page：2 Pages	BritishStyleBS88	COOPER 科普斯株洲市科普斯科技有限公司
630FMM	文件：54.86 Kbytes Page：2 Pages	BritishStyleBS88690V6-700A	COOPER 科普斯株洲市科普斯科技有限公司
630FMM	文件：53.58 Kbytes Page：2 Pages	BritishStyleBS88	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商

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详细参数

型号：
IRF630PBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	IRF630PBF	Vishay Siliconix	23+	TO-220AB	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	IRF630PBF	Vishay(威世)	23+	标准封装	27048	原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期	询价
深圳市赛尔通科技有限公司	IRF630PBF	VISHAY	23+	TO-220	65400		询价
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更多IRF630PBF供应商更新时间2024-4-23 20:19:00

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