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IRF630PBF中文资料9A,200V Heatsink N-Channel Type Power MOSFET数据手册ThinkiSemi规格书

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厂商型号

IRF630PBF

功能描述

9A,200V Heatsink N-Channel Type Power MOSFET

制造商

ThinkiSemi Thinki Semiconductor Co., Ltd.

中文名称

思祁半导体 上海思祁半导体有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 9:51:00

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技术参数

  • 型号:

    IRF630PBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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23+
TO-220
50000
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