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深圳市勤思达科技有限公司

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IRF630N

IRF630N

IRTO-220/TO-263

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IRF630N

IRF630N

IRN/A

70000

2025+

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深圳市卓越微芯电子有限公司

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IRF630N

IRTO-220

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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IRF630N

IRTO-220

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IRF630N

IRTO-220

8575

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IRF630NPBF

Infineon/英飞凌原厂封装

10280

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IRF630NPBF

IRTO-220

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IRF630NSTRLPBF

IRN/A

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IRF630NSTRLPBF

IRTO-263

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)D2PAK

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Infineon(英飞凌)D2PAK

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Infineon(英飞凌)TO-220AB

10548

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深圳市明嘉莱科技有限公司

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INFINEON/英飞凌明嘉莱只做原装正品现货

2510000

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TO-263

深圳市明嘉莱科技有限公司

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INFINEONTO-220

918000

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明嘉莱只做原装正品现货

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Infineon(英飞凌)D2PAK

11580

25+

原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。

深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)TO-220

16316

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深圳市壹芯创科技有限公司

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INFINEONTO-220

69000

24+

原装现正品可看现货

深圳市勤思达科技有限公司

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Infineon(英飞凌)盘装

4768

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深圳市凌旭科技有限公司

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INFINEONSMD

16230

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十年信誉,只做原装,有挂就有现货!

深圳市赛尔通科技有限公司

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IRTO-220

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IRF630NPBF价格

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IRF630N制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220

IRF630N_04制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET

IRF630N_R4942功能描述:MOSFET TO-247 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF630NL功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRF630NLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF630NPBF功能描述:MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF630NS功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRF630NSPBF功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 300mOhms 23.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF630NSTRL功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRF630NSTRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R