| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRTO-220/TO-263 |
10000 |
13+ |
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列,现货供应IRF630N,全新原装,正品供应。 |
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深圳市勤尚伟业电子有限公司2年
留言
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128000 |
22+ |
原装正品 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRTO 220 |
161568 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市品优时代科技有限公司6年
留言
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IRTO-220 |
26500 |
2019 |
原装正品钻石品质假一赔十 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-220 |
123 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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INFINEONTO-220 |
700000 |
23+ |
公主请下单 柒号只做原装 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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IRTO-220 |
9500 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IR3TO-220AB |
4000 |
2022+ |
原装原厂代理 可免费送样品 |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
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IRTO-220 |
2800 |
23+ |
原厂原装正品 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
160014 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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SOP8 |
28800 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳信泰电子器材有限公司10年
留言
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INFINEONTO-220 |
6600 |
24+ |
代理授权直销,原装现货,假一罚十,价格优势 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
4000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
3000 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
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深圳市品优时代科技有限公司6年
留言
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IRTO-220 |
23500 |
2019 |
原装正品钻石品质假一赔十 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
500 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市正迈科技有限公司8年
留言
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INFINEON原封 □ |
21500 |
23+ |
INFINEON优势 /原装现货长期供应现货支持 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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INFINEONSMD |
16230 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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深圳市神舟芯电子科技有限公司联系人：张小姐电话：0755-23156358/15814652535传真：0755-23156358地址：深圳市宝安区民治大道华侨新苑5--11AQQ：2443899114网址：www.szx-ic.com本公司只做原装，散新勿扰！IRF630NPBF功能描述:MOSFETMOSFT200V9.5A300mOhm23.3nCRoHS:否
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IRF630NPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF630N制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220
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IRF630NL功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF630NLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF630NPBF功能描述:MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF630NS功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF630NSPBF功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 300mOhms 23.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF630NSTRL功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF630NSTRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
