| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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12年
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IRTO-220/TO-263 |
10000 |
13+ |
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列,现货供应IRF630N,全新原装,正品供应。 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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13年
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IRTO-220 |
9500 |
25+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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13年
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IRTO-220 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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4年
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IRTO-220 |
8575 |
2550+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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6年
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Infineon/英飞凌原厂封装 |
10280 |
26+ |
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力! |
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1年
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IRTO-220 |
95588 |
18+ |
原装正品、支持实单、价优实在 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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11年
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IRTO-263 |
6000 |
26+ |
原装现货假一赔十 |
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7年
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
11580 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
11580 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
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Infineon(英飞凌)TO-220AB |
10548 |
26+ |
原厂订货渠道,支持账期,一站式服务! |
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6年
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INFINEON/英飞凌明嘉莱只做原装正品现货 |
2510000 |
21+ |
TO-263 |
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6年
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INFINEONTO-220 |
918000 |
25+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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8年
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
11580 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
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Infineon(英飞凌)TO-220 |
16316 |
24+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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15年
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INFINEONTO-220 |
69000 |
24+ |
原装现正品可看现货 |
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12年
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Infineon(英飞凌)盘装 |
4768 |
全新原装正品现货可开票 |
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13年
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INFINEONSMD |
16230 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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16年
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IRTO-220 |
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IRF630NPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF630N制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220
IRF630N_04制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
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IRF630NL功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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IRF630NSPBF功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 300mOhms 23.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF630NSTRL功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF630NSTRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
































