Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 800
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压（VDSS） 200V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 9.3A
Rds（最大）@ ID，VGS 300 mOhm @ 5.4A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 4V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS 35nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的 575pF @ 25V
功率 - 最大 82W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3D2PAK
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 200 V
最大连续漏极电流 9.3 A
RDS -于 300@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 7.9 ns
典型上升时间 14 ns
典型关闭延迟时间 27 ns
典型下降时间 15 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 175
标准包装名称 D2PAK
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 300@10V
最大漏源电压 200
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 D2PAK
最大功率耗散 82000
最大连续漏极电流 9.3
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
FET特点 Standard
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 9.3A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 4V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss） 200V
供应商设备封装 D2PAK
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 300 mOhm @ 5.4A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 82W
输入电容（Ciss ） @ VDS 575pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS 35nC @ 10V
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 IRF630NSTRLPBFCT
工厂包装数量 800
配置 Single
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 9.3 A
正向跨导 - 闵 4.9 S
安装风格 SMD/SMT
RDS（ON） 300 mOhms
功率耗散 82 W
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 D2PAK
栅极电荷Qg 23.3 nC
上升时间 14 ns
最高工作温度 + 175 C
漏源击穿电压 200 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 15 ns
漏极电流（最大值） 9.3 A
频率（最大） Not Required MHz
栅源电压（最大值） 20 V
输出功率（最大） Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.3 ohm
工作温度范围 -55C to 175C
包装类型 D2PAK
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %
漏源导通电压 200 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
删除 Compliant
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型号 厂家 产品描述
IRF630 rochester electronics
IRF630 stmicroelectronics Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
IRF630 vishay / semiconductor Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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