IRF630中文资料Transistor数据手册Comset规格书
技术参数
- 型号:
IRF630
- 功能描述:
MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
TO220 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
50 |
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询价 | ||
HARRIS |
2016+ |
TO-220 |
3500 |
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询价 | ||
ON |
23+ |
DIP-16 |
6500 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
原厂COC随货 |
500000 |
原装正品 |
询价 | ||
IR |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | |||
ST/意法 |
25+ |
TO220 |
54648 |
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询价 | ||
IR |
24+ |
TO 220 |
161449 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
18689 |
询价 | |||
ST(意法半导体) |
2024+ |
NA |
500000 |
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