| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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2年
留言
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IRD2-PAK |
100000 |
25+ |
原装正品，只做正品 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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11年
留言
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IRTO-263 |
6000 |
26+ |
原装现货假一赔十 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
11580 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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11年
留言
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IRTO-263 |
30000 |
26+ |
只做原装现货假一罚十 |
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6年
留言
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INFINEON/英飞凌明嘉莱只做原装正品现货 |
2510000 |
21+ |
TO-263 |
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8年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
11580 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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13年
留言
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INFINEONTO-263 |
8000 |
25+ |
原装正品!!!优势库存!0755-83210901 |
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12年
留言
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Infineon(英飞凌)盘装 |
4768 |
全新原装正品现货可开票 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
11580 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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5年
留言
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INFINEON/IR |
1600 |
18+ |
TO-263-3 (D2PAK) |
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4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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2年
留言
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IRTO-263 |
6292 |
16+ |
全新原装/深圳现货库2 |
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11年
留言
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ir |
500000 |
25+ |
行业低价,代理渠道 |
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13年
留言
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IRTO-263 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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13年
留言
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IR/美国国际整流D2PAK |
5000 |
23+ |
公司只做原装,可配单 |
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9年
留言
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INFINE0ND2PAK (TO-263) |
32568 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
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16年
留言
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IRD2-Pak |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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IRPLCC |
890000 |
26+ |
一级总代理商原厂原装大批量现货 一站式服务 |
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IRF630NSPBF价格
IRF630NSPBF价格：￥2.6249品牌：INTERNATIONAL
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IRF630NS资讯
IRF630NSTRLPBF
IRF630NSTRLPBF
IRF630NSTRLPBF 中文规格书 参数 一级供应商 以及相关型号
產品廣泛有：IC集成電路，二極管·三極管·電容·電阻·電感·磁珠·鉭電容·,業務專線： 0755-83753010 联系人：黄先生 电话：0755-83753010 QQ：2355705584 地址：深圳市佳和大厦A座2101
IRF630NS中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF630NS功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF630NSPBF功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 300mOhms 23.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF630NSTRL功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF630NSTRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRF630NSTRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF630NSTRR功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF630NSTRRHR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 9.3A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRF630NSTRRPBF功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 300mOhms 23.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
